[1]朱宇涛,马春兰,姚金雷*.Gd4（Bi，Ge）3化合物的室温磁熵变效应[J].苏州科技大学学报(自然科学版),2019,36(03):25-30.[doi:10.12084/j.issn.2096-3289.2019.03.005]
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Gd4（Bi，Ge）3化合物的室温磁熵变效应(
)
苏州科技大学学报（自然科学版）[ISSN:2096-3289/CN:32-1871/N]
- 卷:
-
36
- 期数:
-
2019年03期
- 页码:
-
25-30
- 栏目:
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- 出版日期:
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2019-09-15
文章信息/Info
- 作者:
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朱宇涛; 马春兰; 姚金雷*
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（苏州科技大学 数理学院，江苏 苏州 215009；江苏省微纳热流技术与能源应用重点实验室，江苏 苏州 215009）
- 关键词:
-
磁卡效应; 磁熵变; 稀土化合物; 标度假设; 临界行为
- 分类号:
-
O441.2
- DOI:
-
10.12084/j.issn.2096-3289.2019.03.005
- 文献标志码:
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A
- 摘要:
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通过电弧熔炼和随后的退火处理制备出单相多晶化合物Gd4Bi3-xGex（x=0，1和2）。Gd4Bi3-xGex的晶体结构为反Th3P4型，空间群为I-43d。晶胞参数a从x=0的0.939 93（2） nm减少到x=2的0.906 97（2） nm。通过Arrott方法得到x=0，1和2的居里温度分别为327、350和296 K。5 T变场下，x=0，1和2的最大磁熵变分别为2.7、2.3和3.4 J·kg-1·K-1，相对制冷能力分别为257、184和442 J·kg-1。居里温度附近的临界磁行为遵循标度理论。居里温度之上和之下的等温磁化曲线可用两个不同的正则函数描述。分析表明，Gd4BiGe2在铁磁-顺磁转变附近的磁行为为平均场下的长程相互作用。
备注/Memo
- 备注/Memo:
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国家自然科学基金资助项目(21771136；51301116)；江苏省高等学校自然科学研究重大项目(17KJA140001)；苏州科技大学研究生创新工程项目（SKCX18_Y15）
更新日期/Last Update:
1900-01-01